前田/日誌/2008-06-02
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[[前田/日誌]]
-今日やること
--Carry Save Adderを用いた乗算器の高速化
---Carry Save Adderやその他のAdderについて追加勉強
--Speaking and Writing 3のProgress Reportを完成させる
-今日やったこと
--Speaking and Writing 3のProgress Report完成
-英語
--英単語
---negligible : 無視できる(ほど小さい)
---equilibrium : 平均、均衡
---provocative : 挑発的な、挑戦的な
---deny : 否定する
---injure : 〜に怪我を負わせる
--- phenomenon : 現象
---thoroughly : 徹底的
---mode : 方法、様式
--英会話
---言ったことを取り消すよ~
I take back what I said.
---私は構わないよ~
Ok with me.
---何かお飲み物は？~
Anything to drink?
---私も同じものをください。~
Same here.
-メモ
--半導体基本事項
---ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge) : 4価
---ヒ素(As)、リン(P)、アンチモン(Sb) : 5価、ドナー、n型半導体、多数キャリア:電子
---ホウ素(B)、ガリウム(Ga)、インジウム(In) : 3価、アクセブタ、p型半導体、多数キャリア:正孔
---4価+5価 : n型半導体、電圧をかけると電子が+に移動(電子は負の電荷なので)
---4価+3価 : p型半導体、電圧をかけると正孔が-に移動(電子の移動により正孔が-に発生)
--接合型トランジスタ(Bipolar Transistor)~
主に電流で電流の増幅動作。~
NPN : ベースエミッタ間電圧が正電圧で動作
PNP : ベースエミッタ間電圧が負電圧で動作
--電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor;FET, Unipolar Transistor)~
主に電圧で電流の増幅動作。
---接合型電界効果トランジスタ(Junction Field Effect Transistor;J-FET)
---金属酸化膜型電界効果トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;MOS-FET)~
NMOS : ドレインゲート間電圧が正方向(デプレッション型であった場合、負電圧で動作)~
PMOS : ドレインゲート間電圧が負方向(デプレッション型であった場合、負電圧で動作)~
エンハンスメント型(Enhancement Mode) : ゲート電圧を加えることにより動作~
デプレッション型(Depletion Mode) : ゲート電圧を加えなくても動作~
消費電力 : デプレッション型(大)>エンハンスメント型(小)~
応答速度 : デプレッション型(小)<エンハンスメント型(大)~
---相補型金属酸化膜半導体(Complementary Metal Oxide Semiconductor;CMOS)~
エンハンスメント型NMOSとPMOSを用いた回路の基本構成。インバータ。
--NORゲートよりNANDゲートの方が動作速度が早い理由
---一般に電子の移動速度に比べて正孔の移動速度の方が遅い。~
なので出力駆動に多段接続されたPMOSを用いるNORゲートは遅い。~
同時に多段接続によって電圧降下が生じ、駆動能力が低下する。~
(対してNANDゲートは出力が並列である)
-戯言
--ゲート遅延と配線遅延について調べたらトランジスタレベルまで掘り下げてしまった。~
昔は接合型トランジスタを中心に学習していたので、苦手としていた電界効果トランジスタと~
決着をつける意味でも念入りに勉強。その結果、過去最大量の日誌となってしまった。。~
乗算器の勉強は明日やることにしよう。
----
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-今日やること
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-英語
--英単語
---negligible : 無視できる(ほど小さい)
---equilibrium : 平均、均衡
---provocative : 挑発的な、挑戦的な
---deny : 否定する
---injure : 〜に怪我を負わせる
--- phenomenon : 現象
---thoroughly : 徹底的
---mode : 方法、様式
--英会話
---言ったことを取り消すよ~
I take back what I said.
---私は構わないよ~
Ok with me.
---何かお飲み物は？~
Anything to drink?
---私も同じものをください。~
Same here.
-メモ
--半導体基本事項
---ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge) : 4価
---ヒ素(As)、リン(P)、アンチモン(Sb) : 5価、ドナー、n型半導体、多数キャリア:電子
---ホウ素(B)、ガリウム(Ga)、インジウム(In) : 3価、アクセブタ、p型半導体、多数キャリア:正孔
---4価+5価 : n型半導体、電圧をかけると電子が+に移動(電子は負の電荷なので)
---4価+3価 : p型半導体、電圧をかけると正孔が-に移動(電子の移動により正孔が-に発生)
--接合型トランジスタ(Bipolar Transistor)~
主に電流で電流の増幅動作。~
NPN : ベースエミッタ間電圧が正電圧で動作
PNP : ベースエミッタ間電圧が負電圧で動作
--電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor;FET, Unipolar Transistor)~
主に電圧で電流の増幅動作。
---接合型電界効果トランジスタ(Junction Field Effect Transistor;J-FET)
---金属酸化膜型電界効果トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;MOS-FET)~
NMOS : ドレインゲート間電圧が正方向(デプレッション型であった場合、負電圧で動作)~
PMOS : ドレインゲート間電圧が負方向(デプレッション型であった場合、負電圧で動作)~
エンハンスメント型(Enhancement Mode) : ゲート電圧を加えることにより動作~
デプレッション型(Depletion Mode) : ゲート電圧を加えなくても動作~
消費電力 : デプレッション型(大)>エンハンスメント型(小)~
応答速度 : デプレッション型(小)<エンハンスメント型(大)~
---相補型金属酸化膜半導体(Complementary Metal Oxide Semiconductor;CMOS)~
エンハンスメント型NMOSとPMOSを用いた回路の基本構成。インバータ。
--NORゲートよりNANDゲートの方が動作速度が早い理由
---一般に電子の移動速度に比べて正孔の移動速度の方が遅い。~
なので出力駆動に多段接続されたPMOSを用いるNORゲートは遅い。~
同時に多段接続によって電圧降下が生じ、駆動能力が低下する。~
(対してNANDゲートは出力が並列である)
-戯言
--ゲート遅延と配線遅延について調べたらトランジスタレベルまで掘り下げてしまった。~
昔は接合型トランジスタを中心に学習していたので、苦手としていた電界効果トランジスタと~
決着をつける意味でも念入りに勉強。その結果、過去最大量の日誌となってしまった。。~
乗算器の勉強は明日やることにしよう。
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